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徐科:联合攻坚,为新能源车打造“中国芯”
目前国内,第三代半导体领域尚缺乏从材料端到应用端的全链条创新平台。“我们应该抢占先机。”徐科说,不少高校、企业的实验室,就某一材料或工艺可以做到世界领先,但没有向下游延伸的条件,无法支持全链条创新。国创中心开足马力,已建设好材料研发平台、器件工艺...
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为了中国的半导体事业 ——访中国科学院院士吴德馨、王圩
到1990年代,我们又在国内首先研制成功了应变量子阱1.55微米DFB激光器,使中国光通信用激光器的研究和国际新一代能带工程研究接轨。 近些年,我和同事们指导研究生利用半导体材料带隙剪裁技术平台,制作了瓦斯探测用的大应变量长波长1664nmDFB激光器,并已开始试用于煤矿安全系统,建立了用量子混杂(QWI)和选区外延生长(SAG...
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自力更生,“从0到1”---科技自立自强之路
1956年底,中国科学院派出以严济慈为团长的赴苏考察团,前往苏联考察学习半导体方面的工作。苏联的半导体研究工作始于1930年左右,当时已在多个方面处于世界领先地位。 此次考察十分顺利。王守武、洪朝生、成众志等9人分成4个小组,深入各部学习,收获颇丰。他们不仅有了对半导体材料和器件制作的初步认识,还在我国发展半导体科...
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中国光刻技术突破专利封锁,能量瓶颈被攻克 近日,中国在半导体制造领域取得了重大突破,成功绕过了国际上的专利封锁,并且克服了长期以来困扰着EUV(极紫外)光刻技术的能量问题。这一成就不仅标志着中国在高端芯片制造的关键环节上向前迈出了一大步,也为我国的科技自主创新注入了强劲动力。 一直以来,美国和荷兰等国家对EUV相关技术的出口
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事关第三代半导体,这种核心材料发展有何战略?
“半导体产业的迅猛发展,正引领着全球科技革命和产业变革的新浪潮,碳化硅在全球新能源产业发展中扮演着至关重要的角色,是我国在全球半导体产业竞争格局中实现重要突破的关键。”近日,中国科学院院士、武汉大学教授、阿基米德首席科学家刘胜在2024碳化硅功率器件制造与...
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科技自立自强---科技自立自强之路
微穿孔板:解决世界声学难题的中国方案 微穿孔板吸声结构设计理论在国际上掀起了一场吸声材料革命,这也成为中国现代声学迈向国际的关键一步。 “种”金刚石记...以半导体所为代表的科研机构研发的LED技术在中国遍地开花,成为全球节能环保和万亿光照产业的重要推动力量。 为国铸造:“空心”叶片里的决心 凭借一张草图,一...
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在半导体领域,能够在材料平面内横向精准构建异质结构,是探索新奇物性、研发新型器件及推动器件微型化的关键。面对这一挑战,研究团队独辟蹊径,创新性地提出并发展了一种引导晶体内应力“自刻蚀”的新方法。
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春天的江苏,充满“拔节生长”的力量。芯三代半导体科技(苏州)有限公司实验室内,在超过2300℃的高温环境中,正进行着惊人的化学反应:一个个碳化硅单晶锭,依托自主研发的碳化硅外延设备快速“生长”。这种厘米级半导体材料,广泛应用于新能源汽车、电力电子、工业控制等领域,是助力行业转型升级的“利器”。
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高端材料如何破解“卡脖子”难题?看新材料“黑色黄金”的硬核突围...
视频先进材料量产是很多重点领域的关键技术。一种细细的纤维丝被誉为“黑色黄金”的碳纤维材料,这种材料自重轻,承重强,用途广泛。
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卢志远,美国国家发明家科学院院士,中国台湾“中央研究院”院士,世界科学院院士,旺宏电子股份有限公司总经理、科技总监,欣铨科技股份有限公司董事长。 划重点: 1. 内存是晶体管加电容器的组合结构,硬盘是电磁原理,而闪存则是利用特殊材料的晶体管,通过电子的有无实现存储。